睿查森电子宣布推出恩智浦紧凑型气快氮化镓参考设计

睿查森电子宣布推出恩智浦紧凑型气快氮化镓参考设计

A3G26D055N 55 W 峰值氮化镓分立晶体管的可订购参考设计

新闻发布

巴特菲尔德路 2001 号 1800 室
伊利诺斯州唐纳斯格罗夫60515

P: 630 262 6800

F: 630 262 6850

2023 年 7 月 10 日,伊利诺伊州日内瓦:艾睿睿查森电子旗下的睿查森电子公司今天宣布,将为恩智浦半导体的新参考设计提供全面的设计支持能力。

A3G26D055N-100是恩智浦 A3G26D055NT4 的可订购参考设计。A3G26D055NT4是一款 100-2690 MHz 射频功率分立式 GaN HEMT,采用 DFN 7 mm x 6.5 mm 过模塑料封装。它具有无与伦比的输出,可在宽频率范围内使用。该晶体管专为需要宽瞬时带宽能力的蜂窝基站应用而设计。

A3G26D055N-100 电路优化了 100-2500 MHz 频率范围内的器件,利用一半器件实现了 12 W CW 和 11 dB 增益。该紧凑型电路(7 厘米 x 5 厘米)可向睿查森电子订购,电路信息可向恩智浦授权使用。

典型性能:

频率 (兆赫)

Pout
(W)

增益
(dB)

IRL
(dB)

排水效率
(%)

ID
(A)

100

14.8

11.7

-2.5

85.7

0.540

1000

11.9

10.7

-7.9

64.4

0.580

2000

11.7

10.7

-5.2

54.8

0.670

2500

10.9

10.3

-4.9

52.9

0.640

VDD = 48 伏直流,IDQ = 45 毫安(VGG = ~ -2.7 Vdc),引脚 = 1 W,CW

欲了解更多信息或立即在线购买该产品,请访问恩智浦 A3G26D055N-100网页。也可致电 1-800-737-6937(北美地区)或通过本地销售支持查找本地销售工程师(全球)。要了解恩智浦的其他产品,请访问恩智浦店面网页。

详情请联系

MARK VITELLARO
战略营销总监
P: 630 262 6800
mvitellaro@richardsonrfpd.com

NXP A3G26D055N-100