2019年10月9日--日内瓦，III：
睿查森电子公司今天宣布，Cree 公司旗下 Wolfspeed 公司的全新 1200V SiC 功率 MOSFET 系列产品已经上市，并具备全面的设计支持能力。
新器件基于第三代平面 MOSFET 技术，包括一个坚固耐用的本体二极管，无需额外的外部二极管即可实现第三象限工作。Wolfspeed 表示，新产品系列采用分立封装，在 1200V 电压下具有最低的 Rds(on)，且 Rds(on)随温度变化持平。
Wolfspeed 在设计这些第三代 MOSFET 时提高了 CGS/CGD 比率，以实现更好的硬开关性能。软开关应用也能从线性度更高的 COSS 行为中获益。由于开关性能的提高，设计人员可以从基于硅的三电平拓扑结构转向更简单的两电平拓扑结构，从而减少元件数量。
新器件适用于一系列应用，包括太阳能系统、电动汽车充电、不间断电源 (UPS)、SMPS、电机控制和驱动以及储能。
1200V SiC 功率 MOSFET 的其他主要特性包括
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DAVE ROSSDEUTCHER
能源与动力部全球产品管理总监
电话：630 262 6800
drossdeutcher@richardsonrfpd.com
参数 | C3M0016120D | C3M0021120D | C3M0032120D |
|---|---|---|---|
阻断电压 | 1200V | 1200V | 1200V |
25°C 时的额定电流 | 115V | 100A | 63A |
25°C 时的 Rds(on) | 16 mΩ | 21 mΩ | 32 mΩ |
包装 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
门票总计 | 207 nC | 160 nC | 114 nC |
最高结温 | 175 ˚C | 175 ˚C | 175 ˚C |
反向恢复费（Qrr） | 672 nC | 879 nC | 848 nC |
输出电容 | 230 pF | 180 pF | 129 pF |
反向恢复时间 (Trr) | 58 ns | 81 ns | 69 ns |
欲了解更多信息或立即在线购买这些产品，请访问C3M0016120D、C3M0021120D 和C3M0032120D网页。也可致电 1-800-737-6937（北美地区）或通过本地销售支持找到您当地的销售工程师（全球）。如需了解 Wolfspeed 的其他产品，请访问Wolfspeed 商店页面。
