2021年3月10日--日内瓦，III：
睿查森电子有限公司今天宣布，Cree 公司旗下 Wolfspeed 公司的三款新型 120 mΩ 650 V SiC MOSFET 现已上市，并具备全面的设计支持能力。
Wolfspeed 的650 V SiC MOSFET 产品组合基于最新的第三代 C3M™ SiC MOSFET 技术，具有最宽的导通电阻范围、业界最低的分立封装导通电阻以及低开关损耗，从而实现了高效率和功率密度。
新型 120 mΩ、650 V SiC MOSFET 采用通孔（TO-247-3、TO-247-4）和表面贴装（TO-263-7）封装：
部件编号 | 阻断电压 (V) | RDS(on) (mΩ) | (ID) @ 25° C (A) | 包装 |
|---|---|---|---|---|
C3M0120065D | 650 | 120 | 22 | TO-247-3 |
C3M0120065K | 650 | 120 | 22 | TO-247-4 |
C3M0120065J | 650 | 120 | 21 | TO-263-7 |
Wolfspeed 的 650 V SiC MOSFET 还具有其他主要特性：
- 卓越的系统整体效率
- 高频运行
- 坚固的体二极管，反向恢复电荷低
- 开尔文源连接，可减少寄生电感和开关损耗
- 符合爬电和间隙要求的行业标准封装
目标应用包括
- 服务器电源
- 电动汽车充电系统
- 储能系统（UPS）
- 太阳能（光伏）逆变器
欲了解更多信息、索取样品或立即在线购买这些产品，请访问Wolfspeed 650 V SiC MOSFET网页。也可致电 1-800-737-6937（北美地区）或通过本地销售支持查找本地销售工程师（全球）。要了解 Wolfspeed 的其他产品，请访问Wolfspeed 商店页面。
