伊利诺伊州 唐纳斯格罗夫市（2026年2月25日）——Arrow Electronics睿查森电子宣布，Wolfspeed第四代碳化硅（SiC）MOSFET平台将扩大供货范围。 该平台专为满足当今最严苛的高功率应用需求而设计，可提供高效能、简化开关特性及长期可靠性。

Wolfspeed的第四代技术旨在提升系统级性能，同时降低设计复杂度。该产品组合提供750V、1200V和2300V等级的器件，支持功率模块、分立元件及裸芯片封装形式，为工程师在工业、可再生能源、电动汽车充电、UPS及高压转换市场提供广泛的灵活性。

更高效率与更简洁的设计

第四代MOSFET可降低开关损耗并支持更高开关频率，从而实现更小尺寸的无源元件和更高功率密度。其优化的导通特性在整个负载范围内减少损耗——这对电动汽车牵引逆变器、工业电机驱动器和人工智能数据中心供电系统至关重要。

久经考验的可靠性与增强的散热性能

基于Wolfspeed业界领先的碳化硅技术平台，第四代器件具备更强的抗干扰能力和更优异的散热性能。其兼容15-18V导通电压与0V至-5V关断电压的栅极驱动条件，可轻松集成至现有大功率架构；同时，增强的安全工作区指标使其能够应对更严苛的环境，并延长系统使用寿命。

专为现实世界中的高功率应用优化

Wolfspeed的1200V碳化硅MOSFET系列提供多种导通电阻选项，助力设计师平衡成本、性能与效率。硬开关应用可受益于更低的导通损耗和更优的Coss线性度，而软开关拓扑则能获得更平滑的运行特性并降低电磁干扰。

如需了解有关Wolfspeed第四代MOSFET的更多信息（包括第三代产品的替代方案），或申请样品，请访问睿查森电子 电子网站。