本应用说明旨在为 Cree 宽带隙器件的用户提供有关大功率 SiC MESFET 和 GaN HEMT 晶体管热性能的指导。它解释了 Cree 用来确定其数据表中所列热阻值的方法。与所有半导体器件一样，SiC MESFET 和 GaN HEMT 器件的可靠性直接取决于最大工作沟道温度。因此，以高度的可信度确定特定工作模式下的最大沟道温度非常重要，特别是对于在 CW 下工作并耗散大量热能的产品。