恩智浦的射频功率宏GaN产品组合包括专为蜂窝基站远程射频头（RRH）设计的高功率射频晶体管。这些器件专为针对 4T4R 和 8T8R 基础设施的 40 W 至 80 W 无线电装置而设计。
特点
- 各频段通用封装：OM-780-4S4S 超模压塑料封装
- 高阻抗实现最佳宽带性能
- 采用非对称 Doherty 配置设计，可实现高效性能
- 能够承受极高的输出驻波比和宽带工作条件
- 采用数字预失真 (DPD) 的低内存氮化镓改进型误差矢量幅度 (EVM)，可实现射频信号的高线性度
- 基于恩智浦低内存氮化镓工艺
- 由恩智浦位于亚利桑那州钱德勒的氮化镓工厂制造
射频功率宏基氮化镓晶体管 产品组合
部件编号 | 频率范围（兆赫） | Pout (Avg W) | 增益（分贝） | 电源电压 (V) | 可用性 | A5G07H800W19NR3 | 717 - 850
| 112
| 19.3
| 50 | 了解更多 / 订购 |
|---|---|---|---|---|---|
A5G08H800W19NR3
| 865 - 960
| 112
| 19.5
| 50
| 了解更多 / 订购
|
A5G18H610W19NR3
| 1805 - 1880
| 85
| 17.5
| 48
| 了解更多 / 订购
|
A5G19H605W19NR3
| 1930 - 1995
| 85
| 16.7
| 48
| 了解更多 / 订购
|
A5G21H605W19NR3
| 2110 - 2200
| 85
| 16.5
| 48
| 了解更多 / 订购
|
A5G26H605W19NR3
| 2496 - 2690
| 85
| 15.3
| 48
| 了解更多 / 订购
|
使用恩智浦 Macro GaN 晶体管的推荐放大器阵容
(选择频率范围）
- 48 V 氮化镓
- 48 V 氮化镓
- 48 V 氮化镓
- 48 V 氮化镓
- 48 V 氮化镓
- 48 V 氮化镓
用于 5G 的宏观 GaN 基础设施
传统的 4T4R 无线电配置包含 4 个功率放大器，用于数据需求适中的地区。8T8R 无线电设备可进行更复杂的波束成形，以提高信号覆盖范围，并能在郊区等高密度环境中同时处理更多用户。
低内存专有 GAN 来自恩智浦
降低记忆效应
(基于代工厂的恩智浦老一代产品
传统 GaN EVM
恩智浦射频 Ga EVM
- 应对 5G 信号的线性挑战
- 最大限度地提高线性度，降低 DPD 复杂性
- 提高脉冲应用的脉冲稳定性
- 显示更大的分散模式
- 功率放大器对信号的失真超出了预期水平
- 点汇聚到单一位置，成功再现波形
- 使 5G 信号能够到达目的地
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