5G 有源天线和小蜂窝解决方案

恩智浦为无线基础设施提供最广泛的射频功率放大器产品组合,涵盖多个集成层面。
恩智浦功率放大器

恩智浦功率放大器

恩智浦为无线基础设施提供最广泛的射频功率放大器产品组合,涵盖多个集成层面。

分立晶体管、多级集成电路和多芯片模块 (MCM),以及利用恩智浦最新尖端工厂生产的氮化镓和硅 LDMOS。

恩智浦 功率放大器

恩智浦 LDMOS IC 性能高、集成度高,可加快您的开发速度。这些多芯片模块 (MCM) 采用高性能 LDMOS。LDMOS IC 集成了多个增益级、输入或输入/输出的 50 欧姆匹配以及 Doherty 分路器和合路器,从而简化了设计实施。LDMOS IC 的频率范围为 0.4 - 3.7 GHz,每个器件的平均功率处理能力为 4 - 10W,是 DAS/AAS、小型基站和中继器的理想之选。

恩智浦功率放大器模块专为 OEM 厂商快速部署 5G mMIMO 设备而开发。 第一代 LDMOS PAM 包括 50 欧姆阻抗匹配 (I/O) 和 Doherty 分路器与合路器。 后来发布的产品包括集成栅极驱动器(智能 LDMOS)和 GaN。 恩智浦功率放大器模块针对 5G Sub-6GHz mMIMO、小基站和中继器进行了优化,频率范围为 2.3 - 4.2 GHz,平均功率为 2.5-9 W。

MMIC 放大器和集成多芯片模块可加快开发时间,但并非每个项目都能利用这些解决方案。恩智浦提供全系列分立射频晶体管和参考电路,帮助您解决下一个大功率项目。无论是 mMIMO 还是宏基站和远程无线电单元,恩智浦分立晶体管都能帮助您更快地进入市场。恩智浦分立晶体管采用 LDMOSFET 和 SiC HEMT GaN 技术,频率范围为 0.4 - 4.2 GHz,平均功率从 2W 到 80W 以上。

恩智浦 产品特性

通过此次发布,恩智浦的分立式大规模 MIMO 产品组合利用恩智浦最新的 GaN 专有技术,现已覆盖 2.3 至 4.0 GHz 的所有蜂窝频段。
这款 8 W 对称 Doherty 射频功率 GaN 晶体管专为要求极宽瞬时带宽能力的蜂窝基站应用而设计。

恩智浦 5G 资源

恩智浦

恩智浦的 Rx 模块是集成的多芯片模块,专为 TD-LTE 和 5G mMIMO 应用而设计。

恩智浦

RapidRF 基准板适用于天线平均发射功率要求为 2.5-8W(34-39dBm)的无线电设备。

恩智浦

恩智浦推出了一系列采用其创新的新型顶部冷却封装技术的 5G 大规模 MIMO 模块。

射频与微波支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

睿查森电子拥有一支由 50 多名技术人员组成的团队,可就各种主题提供设计协助。 尽管数量众多,难以一一列举,但我们还是突出强调了一些特定主题,以体现我们的支持。