RapidRF 前端设计是易于使用的解决方案，有助于加快大规模 MIMO 系统、开放式 RAN、室外小型基站和低功率远程射频头的原型设计。
这些可扩展设计以小尺寸提供恩智浦最新系列的前置驱动器、50 欧姆多芯片功率放大器模块和 Rx 解决方案。
恩智浦半导体的 RapidRF 前端设计将射频功率放大器、Rx LNA、T/R 开关、环行器和偏置控制器集成在一个紧凑的基底面内。它们集成了一个用于 DPD 反馈的耦合器，可与数字预失真一起使用。
RapidRF 参考板非常适合需要 2.5W 至 5.0W（34dBm 至 37dBm）天线平均发射功率的 5G 无线电设备。不同频段的版本使用通用的 PCB 布局，从而简化了设计和制造，加快了产品上市时间。
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恩智浦 28 V LDMOS 射频前端设计
部件编号 | 频率范围 | 平均输出功率 | 可用性 | rapidrf-36sl039 | 3400-3600 兆赫 | 39 dBm（8 W），8.5 dB OBO，29 V 时 | 订购 / 了解更多 |
|---|---|---|---|
rapidrf-35tl039 | 3400-3600 兆赫 | 38.5 dBm（7 W），9.0 dB OBO，26 V 时 | 订购 / 了解更多 |
RAPIDRF-26E39 | 2496-2690 兆赫 | 39 dBm（8 W），8 dB OBO，27 V 时 | 订购 / 了解更多 |
RAPIDRF-35D35 | 3400-3600 兆赫 | 34.8 dBm（3 W），8.4 dB OBO，24 V 时 | 订购 / 了解更多 |
恩智浦 RapidRF 5G 资源
RapidRF 概况介绍
面向 5G 基础设施的 RapidRF 智能 LDMOS 前端设计。
RapidRF 概况介绍
RapidRF 参考板是 5G 无线电设备的理想之选
需要 2.5 至 8 瓦（34-39 dBm）平均发射功率的 5G 无线电设备的理想之选。
天线平均发射功率的 5G 无线电设备的理想选择。适用于多个频段的版本使用通用的
PCB 布局，从而简化了设计和制造，加快了产品上市时间。
缩短产品上市时间。
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快速射频智能 LDMOS 用户指南
恩智浦的 RapidRF 前端设计是面向 5G TDD 无线电系统的完整射频前端解决方案。
快速射频智能 LDMOS 用户指南
XP 的 RapidRF 前端设计是用于 5G TDD 无线电系统的完整射频前端解决方案。它们非常适合需要 5 至 10 瓦（37-40 dBm）平均功率、约 8.5 dB PAR LTE/NR 信号的发射机...
查看用户指南
2022 年 11 月 18 日
随着开放式 RAN (O-RAN) 不断在全球部署，恩智浦通过创建增强型参考设计，加快了 5G O-RAN 的部署速度。
