射频放大器是将低功率射频信号转换为高功率信号的基本电子元件。睿查森电子支持领先制造商提供的各种射频放大器。产品形式包括集成电路、连接模块以及带集成 AC/DC 电源和显示器的系统。元件拓扑结构包括低噪声放大器、线性功率放大器、可变增益放大器和增益块等。
天工开物
Skyworks 的多功能、多芯片模块和解决方案减少了零件数量,简化了各种应用中的基本电路。
从用于分集接收器和导航的射频前端模块,到用于电源管理和牵引控制的隔离栅极驱动器、放大器和数据收发器,这些产品有不同的封装和认证级别。
联合单片半导体公司
器件具有高功率、高 PAE 和高线性度的特点
专有的 United Monolithic Semiconductors GH15 GaN 工艺经过优化,频率高达 42 GHz,可提供高功率、高 PAE 和高线性度,是传输调制波形的理想选择。
MACOM
MACOM的CMPA851A MMIC HPA系列通过采用 MACOM 的高性能 0.15μm G28V5 GaN on SiC 生产工艺,实现了业界领先的效率、 0.15μm G28V5 SiC 氮化镓生产工艺,从而实现了极高的效率。.该产品系列的工作频率为 8.5-10.5 GHz,支持国防和商业相关雷达应用。
MACOM
MACOM 最近为其氮化镓射频功率器件系列推出了两款新产品,非常适合需要高可靠性和高效率的超宽带放大器应用。其固有的高功率密度、低寄生和高 FT 特性可实现多倍频程到瞬时带宽放大器。
联合单片半导体公司
CHA8612-QDB 是 UMS 设计的一款 X 波段 7.9-11GHz 新型 HPA,用于商业和国防通信系统及雷达应用。采用 UMS 专有的 0.25 µM 氮化镓碳化硅技术制造。
恩智浦
恩智浦推出一系列5G大规模MIMO模块,采用创新的新型顶部冷却封装技术。首批产品专为 32T32R 200 W 无线电设备设计,覆盖 3.3 GHz 至 3.8 GHz 频段,采用恩智浦位于亚利桑那州钱德勒的新工厂制造的最新 GaN 专有技术。