走遍街区 "系列网络研讨会探讨了与电力电子应用相关的设计挑战和趋势主题。在本系列中，我们将重点关注电动汽车快速充电，并着重介绍来自我们供应商的各种主题。

SiC MOSFET 电源模块的开关会产生两个需要解决的重要问题，以优化器件的性能：关断电压过冲和振铃。

Microchip 的 AgileSwitch 系列数字可编程栅极驱动器采用增强开关技术，可对碳化硅 (SiC) MOSFET 器件进行高效可靠的控制和保护。

碳化硅（SiC）器件由于采用宽带隙（WBG）材料，因此能够以较低的开关损耗实现高压操作，并开始在汽车、工业、航空航天和国防应用领域加速发展和应用。

突破性技术兼具高性能和低损耗。

Microsemi SiC 肖特基二极管模块具有业界领先的集成度和封装。缩小系统尺寸和重量，同时降低系统总成本。

与传统的硅（Si）功率 MOSFET 相比，碳化硅（SiC）MOSFET 具有更出色的动态和热性能。

Microchip 的碳化硅解决方案注重高性能，有助于最大限度地提高系统效率，并最大限度地减小系统重量和尺寸。

碳化硅（SiC）半导体为寻求提高系统效率的电力电子设计人员提供了一种创新选择。 效率。