Neues flow S3 Mid-Power-Paket - der klügere Weg

Neues flow S3 Mid-Power-Paket - der klügere Weg

30. November 2023

EV-Schnellaufladung

Die Ingenieure streben nach höheren Leistungswerten, einer höheren Leistungsdichte und letztlich nach mehr Leistung bei gleicher Baugröße. Der Schlüssel dazu ist eine Vergrößerung des Keramiksubstrats, um die für eine höhere Leistung erforderlichen Halbleiter unterzubringen und gleichzeitig eine kleine Gehäusegrundfläche beizubehalten. Der Schlüssel zum Erfolg ist der Verzicht auf eine Kupferbasisplatte und auf Systemlötmittel, was zu geringeren Kosten und höherer Zuverlässigkeit führt. In diesem Artikel wird ein neues Gehäuse ohne Baseplate mit einem einzigen großen Keramiksubstrat vorgestellt.

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Unser Team aus weltweit tätigen Anwendungsingenieuren steht für Ihre Fragen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Entwurf für ein Energieumwandlungs- oder Energiespeichersystem Ihre Leistungserwartungen erfüllt. Wenn Sie von Silizium auf Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) umsteigen, helfen wir Ihnen, das richtige Schaltgerät zu finden, um die Leistungsdichte und den höheren Wirkungsgrad zu erreichen, die Ihre Anwendung erfordert.