Die Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Microchip Technology bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Leistungs-MOSFETs aus Silizium (Si).

Der SAM R34 Xplained Pro ist eine Hardware-Plattform, die für die Evaluierung der SAM R34 Familie von LoRa®-Geräten entwickelt wurde.

GaN-on-SiC MMIC PAs sind bereit, die wachsenden Herausforderungen der Ka-Band-Satellitenkommunikation und der mmWave 5G-Netzwerke zu meistern.

1200V, 805A SiC-Modul mit niedriger Induktivität für Schweißer, UPS, EV-Motoren und Traktionsantriebe

SiC auf Lager: 1700V, 750mΩ MOSFET im TO-247-4-Gehäuse mit überragender Avalanche-Robustheit, verfügbar für Sampling

Dieser Anwendungshinweis bietet eine Design-Anleitung für die richtige Auswahl der Gate-Source-Spannungen für die SiC-MOSFET-Produkte von Microchip sowie für die entsprechende Leistung und das Verhalten der Bauelemente.

SiC auf Lager: 700V, 90 mΩ SiC MOSFET im TO-247-Gehäuse für industrielle Motorantriebe und mehr

SiC auf Lager: 700V, 15mΩ SiC MOSFET im TO-247-4-Gehäuse, überragende Avalanche-Robustheit

Der MSC040SMA120B4 ist ein 1200-V-SiC-MOSFET mit 40 mOhm in einem TO-247-Gehäuse mit 4 Anschlüssen und Source-Sense.

SiC auf Lager: 1700V/353A Phase Leg Siliziumkarbid-Modul