- Mfg-Teilnummer: MSC025SMA120J
Die Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Microchip Technology bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Leistungs-MOSFETs aus Silizium (Si). Diese MOSFETs zeichnen sich durch niedrige Kapazitäten, geringe Gate-Ladung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und gute Avalanche-Robustheit aus.
- Eigenschaften
- Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch geringen Gate-Innenwiderstand (ESR)
- Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = +175C
- Schnelle und zuverlässige Body-Diode
- Hervorragende Lawinenbeständigkeit
- RoHS-konform
- Isolierte Spannung bis 2500V
- Vorteile
- Hohe Effizienz für ein leichteres/kompaktes System
- Einfach zu fahren und leicht zu parallelisieren
- Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste
- Eliminiert die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode
- Geringere Betriebskosten des Systems
- Anwendungen
- PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe
- Intelligente Netzübertragung und -verteilung
- Induktionserwärmung und Schweißen
- H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegerät
- Energieversorgung und -verteilung
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