Wolfspeed
Descubra cómo el sistema de prueba de carga inductiva sujeta (CIL) SiC MOSFET de Wolfspeed puede ayudarle a modelar con precisión su diseño.
Wolfspeed ha lanzado una familia de módulos sin placa base para satisfacer los requisitos de las aplicaciones de potencia media, proporcionando soluciones en todo el continuo de la electrónica de potencia.
C3M0025065J1: MOSFET de potencia de carburo de silicio Tecnología MOSFET C3M™ Modo de mejora de canal N
Wolfspeed amplía su liderazgo en tecnología SiC con la introducción de los MOSFET de 650 V de 3ª generación, que permiten una conversión de potencia más pequeña, ligera y altamente eficiente en una gama aún más amplia de sistemas de potencia.
La oferta incluye transistores discretos, FET de impedancia adaptada y amplificadores MMIC multietapa.
La 5G representa el siguiente paso evolutivo en la infraestructura de telecomunicaciones inalámbricas y está preparada para ofrecer mejoras espectaculares en capacidad, ancho de banda y latencia.
Este libro blanco destaca la amplia cartera de SiC de Wolfspeed, adecuada para muchas aplicaciones diferentes, y las herramientas basadas en web disponibles para ayudar rápidamente a los clientes a evaluar las piezas para sus sistemas.
Dado que muchos diseñadores de potencia se centran en la cualificación a nivel de dispositivo de carburo de silicio, la fiabilidad y la consistencia del suministro, profundizamos en cómo Wolfspeed hace hincapié en las diferencias entre las pruebas de fiabilidad y las de cualificación.
En esta charla técnica abordamos la pregunta que a menudo nos hacen sobre cómo se compara el carburo de silicio (SiC) con las tecnologías de la competencia.
En esta charla técnica, analizamos los distintos niveles de accionamiento de puerta de los MOSFET SiC Wolfspeed Gen3 y cómo la adición de una polarización de puerta negativa mejora la inmunidad al ruido.
