- Numéro de pièce Mfg : MSC080SMA330B4
La ligne de produits MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) de Microchip augmente les performances par rapport aux solutions MOSFET et IGBT en silicium tout en réduisant le coût total de possession pour les applications à haute tension.
Le dispositif MSC080SMA330B4 est un MOSFET SiC de 3300 V, 80 mOhm dans un boîtier TO-247 à 4 pattes avec une détection de source.
- Caractéristiques
- Faibles capacités et faible charge de grille
- Vitesse de commutation rapide grâce à une faible résistance de grille interne (ESR)
- Fonctionnement stable à une température de jonction élevée, TJ(max) = +150C
- Diode de corps rapide et fiable
- Robustesse supérieure en avalanche
- Conforme à la directive RoHS
- Avantages
- Un rendement élevé pour un système plus léger et plus compact
- Simplicité de conduite et facilité de parallélisme
- Amélioration des capacités thermiques et réduction des pertes de commutation
- Élimine la nécessité d'une diode de roue libre externe
- Réduction du coût de possession du système
- Applications
- Onduleurs et convertisseurs photovoltaïques et entraînements de moteurs industriels
- Réseau intelligent de transmission et de distribution
- Chauffage et soudage par induction
- Groupe motopropulseur H/EV et chargeur EV
- Alimentation et distribution d'électricité
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