マイクロチップ - MSC080SMA330B4

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エネルギー貯蔵と電力変換

TO-247-4パッケージのMicrochip 3.3kV、80mΩ炭化ケイ素MOSFET

TO-247-4パッケージのMicrochip 3.3kV、80mΩ炭化ケイ素MOSFET

マイクロチップ社の炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFET製品ラインは、高電圧アプリケーションの総所有コストを低減しながら、シリコンMOSFETやシリコンIGBTソリューションよりも性能を向上させます。

MSC080SMA330B4デバイスは、ソースセンス付きTO-247 4リードパッケージの3300 V、80 mOhm SiC MOSFETです。

低容量と低ゲート電荷
低い内部ゲート抵抗（ESR）による高速スイッチング速度
高いジャンクション温度（TJ_(max)=+150℃）での安定動作
高速で信頼性の高いボディダイオード
優れた雪崩耐久性
RoHS対応

より軽量でコンパクトなシステムを可能にする高効率
運転が簡単で、並列走行も容易
熱性能の向上とスイッチング損失の低減
外付けフリーホイール・ダイオードの必要性を排除
低いシステム所有コスト

PVインバータ、コンバータ、産業用モータドライブ
スマートグリッドの送電と配電
誘導加熱と溶接
H/EVパワートレインとEV充電器
電力供給と配電

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専門家チームについて

当社のグローバル・アプリケーション・エンジニア・チームは、お客様の電力変換またはエネルギー貯蔵システムの設計がお客様の期待性能を満たすよう、お客様のご質問にお答えします。シリコンから窒化ガリウム（GaN）または炭化ケイ素（SiC）への移行をお考えの場合、アプリケーションに必要な電力密度と効率の向上を達成するための適切なスイッチング・デバイスを特定するお手伝いをいたします。