- Mfg-Teilnummer: MSC080SMA330B4
Die Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Microchip steigert die Leistung gegenüber Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen.
Der MSC080SMA330B4 ist ein 3300-V-SiC-MOSFET mit 80 mOhm in einem TO-247-Gehäuse mit 4 Anschlüssen und Source-Sense.
- Eigenschaften
- Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch geringen Gate-Innenwiderstand (ESR)
- Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur, TJ(max) = +150C
- Schnelle und zuverlässige Body-Diode
- Hervorragende Lawinenbeständigkeit
- RoHS-konform
- Vorteile
- Hohe Effizienz für ein leichteres, kompakteres System
- Einfach zu fahren und leicht zu parallelisieren
- Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste
- Eliminiert die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode
- Geringere Betriebskosten des Systems
- Anwendungen
- PV-Wechselrichter, Umrichter und industrielle Motorantriebe
- Intelligente Netzübertragung und -verteilung
- Induktionserwärmung und Schweißen
- H/EV-Antriebsstrang und EV-Ladegerät
- Energieversorgung und -verteilung
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