Microchip - MSC080SMA330B4

Microchip - MSC080SMA330B4
采用 TO-247-4 封装的 Microchip 3.3 kV、80 mΩ 碳化硅 MOSFET

采用 TO-247-4 封装的 Microchip 3.3 kV、80 mΩ 碳化硅 MOSFET

与硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案相比,Microchip 的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线提高了性能,同时降低了高压应用的总拥有成本。

MSC080SMA330B4 器件是一款 3300 V、80 mOhm SiC MOSFET,采用 TO-247 4 引线封装,具有源极检测功能。

  • 低电容和低栅极电荷
  • 栅极内阻 (ESR) 低,开关速度快
  • 在高结温下稳定运行,TJ(最大)= +150C
  • 快速可靠的体二极管
  • 卓越的雪崩坚固性
  • 符合 RoHS 规范
  • 效率高,使系统更轻便、更紧凑
  • 驾驶简单,易于并行
  • 散热能力更强,开关损耗更低
  • 无需外部续流二极管
  • 降低系统拥有成本
  • 光伏逆变器、变流器和工业电机驱动器
  • 智能电网输配电
  • 感应加热和焊接
  • H/EV 动力系统和电动汽车充电器
  • 供电和配电

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关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。