采用 1700V SiC MOSFET，消除功率转换的折衷影响

高压电源系统的设计人员在使用硅 MOSFET 和 IGBT 时，一直在努力满足客户对持续创新的需求。在不牺牲效率的情况下，往往无法实现所需的可靠性，硅基解决方案也无法满足当今极具挑战性的尺寸、重量和成本要求。然而，随着高压碳化硅 (SiC) MOSFET 的出现，设计人员现在有机会在提高性能的同时解决所有其他挑战。