Microchip 的 mSiC 技术走在大功率应用的前沿

对于半导体功率开关和栅极驱动器的制造商和用户来说，碳化硅（SiC）及其作为一种材料所固有的优越性已迫在眉睫。面对电力电子产品对更高效率、更小尺寸和更轻重量等要求的不断提高，碳化硅的优势更加明显。

碳化硅（SiC）等宽带隙半导体具有极低的开关损耗，可提高系统效率，功率密度高，从而减小了尺寸和重量，而且导热性能比硅更好。这意味着对散热器的要求降低，从而实现了更紧凑、更轻巧的占地面积。此外，在高温下工作的能力也提高了整体系统的可靠性，使其成为需要提高功率密度的应用的理想选择。