碳化硅电源设计师指南

随着碳化硅技术的成熟并被无数电源转换设计所采用，有关如何最大限度地提高其性能的问题仍然层出不穷。本白皮书解答了与碳化硅设计考虑因素相关的常见问题，例如：

• 为什么碳化硅能为系统带来如此大的价值？
• 碳化硅和硅一样可靠吗？它们的测试方法相同吗？
• 如何针对热、EMI 和短路保护进行加固设计？
• 如何选择栅极驱动器以实现最佳功率转换和控制？
• 为什么在您的图腾柱参考设计中，即使使用碳化硅，开关频率也只能达到 65 kHz？
• 如何优化系统以提高效率、最大功率密度和最低系统成本？
• 如何选择合适的 SiC MOSFET？数据表/参数和型号是否与硅相同？
• 在不影响可靠性的情况下，SiC MOSFET 的最高运行温度是多少？
• 如何计算温度传导损耗？
• 如何优化开关频率？

本文论述了当前碳化硅的发展前景和优势、设计损耗、开关频率、电感的影响和注意事项、栅极驱动、噪声以及碳化硅的应用。