利用粘接提高低噪声放大器射频性能的综合方法

利用粘接提高低噪声放大器射频性能的综合方法

2021 年 11 月 16 日

航空航天与国防

射频工程是一种黑魔法吗?本文分析了为航空航天市场开发 18 GHz 至 31 GHz 低噪声放大器 (LNA) ADH519S 所面临的挑战。用于航天产品开发的芯片最初是以 LC4 封装形式向商业行业发布的。为了将该产品推向航天和高可靠性市场,并符合 MIL-PRF-38535 标准,该部件采用了最合适和可用的密封陶瓷封装。本文介绍了一种独特的解决方案和工艺教育,以通过键合提高射频性能。该产品开发过程面临以下挑战:

  • 与最初发布的封装中的裸片相比,最合适、空间最大的密封陶瓷封装具有较大的空腔。较大的空腔使得键合导线的长度需要增加一倍,再加上新封装的寄生效应,有可能导致器件不稳定。
  • 即使不发生不稳定,长键合导线的寄生效应也会降低 S 参数。

本文回顾了用于克服这些挑战的不同方法,以及如何通过新型密封陶瓷封装实现最佳稳定性和噪声系数性能。

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