氮化镓（GaN）等新型半导体材料的出现为实现更高功率、更宽带宽提供了可能。栅极长度更短的砷化镓器件已将频率范围从 20 GHz 扩展到 40 GHz 甚至更高。文献显示，这些器件的可靠性超过 100 万小时，因此在现代电子系统中无处不在。我们预计，未来更高频率和更宽带宽的趋势将持续下去。