射频功率晶体管

恩智浦的射频功率宏GaN产品组合包括专为蜂窝基站远程射频头（RRH）设计的高功率射频晶体管。这些器件专为针对 4T4R 和 8T8R 基础设施的 40 W 至 80 W 无线电装置而设计。

新型 MMRF5018HSR5 宽带射频 125 W CW 功率晶体管经过优化，宽带工作频率高达 2700 MHz，包括输入匹配功能，可扩展带宽性能。该器件具有高增益和高耐用性，是 CW、脉冲和宽带射频应用的理想之选。

A3G26D055N-100 电路优化了器件在 100-2500MHz 频段的性能，利用一半器件实现了 12W CW 和 11dB 增益。该电路可供订购，电路信息可通过授权从恩智浦获取。

A3G26D055N-100 是一款可订购的参考设计，适用于 A3G26D055NT4.

这款 300 W、50 V 射频功率 FET 专为频率高达 175 MHz 的宽带商业和军事应用而设计。

• 增益：14 分贝（典型值 16 分贝）
• 效率：50
• 热阻低：0.35°C/W
• 坚固耐用

这款 180 W、DC-2.0 GHz、50 V、采用 2 引线药丸封装的 GaN HEMT 为各种射频和微波应用提供了通用的宽带解决方案。

• 24 dB 小信号增益 @ 900 MHz
• 20 分贝功率增益（900 兆赫
• 250 瓦（900 兆赫）典型输出功率
• 75% 的 PSAT 效率

这款 5 W、12.5 V、1 GHz 符合 RoHS 规范的金属栅极射频硅 MOSFET 采用简化的放大器设计，适用于宽带 VHF/UHF 通信。

• Crss 非常低
• 简单偏置电路
• 低噪音
• 高增益：最小 10 dB

这款 50 V、300 W、150 MHz n 沟道射频功率晶体管专为需要高功率和增益的宽带商业和军事应用而设计。

• 更坚固耐用 V(BR)DSS = 170 V
• 22 dB 典型增益（30 MHz
• 卓越的稳定性，低 IMD
• 通用源配置

这款 1.8-600 MHz、1250 W CW、50 V、高强度 LDMOS 晶体管专为高 VSWR 工业、广播、航空航天和无线电/陆地移动设备而设计。

• 无与伦比的输入和输出
• 用于单端或推挽式
• 特性电压为 30 V 至 50 V
• 适用于线性应用