Optimierung eines GaN auf SiC basierten RF-Verstärkers

Optimierung eines GaN auf SiC basierten RF-Verstärkers

Details zur Veranstaltung:

On-Demand-Webinar
Veranstaltet von: Wolfspeed

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Wie man einen GaN auf SiC basierten RF-Verstärker optimiert

Der Webcast führt Sie durch den Prozess der Optimierung eines symmetrischen 50-W-HF-Verstärkers mit GaN-auf-SiC-HEMT-Transistoren. Wir geben einen Überblick über das Anpassungsnetzwerk der Endstufe und das Layout sowie das Splitter/Combiner-Netzwerk.

Wir werden auch die Bedeutung thermischer Überlegungen und elektromagnetischer Analysen bei der Entwicklung erörtern und einen Vergleich zwischen der erwarteten modellierten und der gemessenen Leistung anstellen. Schließlich werden wir ein vollständig integriertes HF-Frontend zeigen, das auf der Grundlage dieses symmetrischen Verstärkerdesigns gebaut wurde, und wie es in ein Funkmodul (SoM) integriert werden kann.

Die Teilnehmer erhalten Informationen über:

  • Die technischen Vorzüge von GaN auf SiC-Verstärkern
  • Arbeiten mit nichtlinearen Modellen und Einrichten für die Simulation
  • Thermische Überlegungen für GaN-Verstärker
  • Erzeugung einer genauen EM-Simulation

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