Die Modernisierung des Militärs geht unaufhaltsam weiter. Der Anstieg der Militärausgaben treibt die Beschaffung von fortschrittlichen drahtlosen Kommunikationssystemen für Land-, Luft- und Seeplattformen voran.

Die Verwendung von Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) hat eine hocheffiziente Stromversorgung für eine Vielzahl von Anwendungen ermöglicht, z. B. für das Schnellladen von Elektrofahrzeugen, Stromversorgungen, erneuerbare Energien und Netzinfrastrukturen.

Sie sind ein integraler Bestandteil von 5G-Testsystemen und spielen eine Schlüsselrolle bei der Gewährleistung der Testzuverlässigkeit und Messgenauigkeit.

Wenn die Verwendung eines Leistungsmoduls in Ihrem Entwurf nicht praktikabel ist, ist die Parallelschaltung von MOSFETs ein gängiger Ansatz.

Dieser Tech Chat hilft Entwicklungsingenieuren, besser zu verstehen, wie der Rds(on) der SiC-MOSFETs von Wolfspeed im Vergleich zu anderen verfügbaren Technologien wie GaN, Silizium oder anderen SiC-Bauteilen ist.

Was kommt Ihnen in den Sinn, wenn Sie an eine "Portable Power Station" denken? Ein sperriges und schweres Gerät, das laut ist, aber nicht viel Leistung hat. Ein Gerät, das die Kunden frustriert.

Ziel dieser Application Note ist es, Anwendern von Wolfspeed-Bauelementen mit breitem Bandabstand einen Leitfaden für das thermische Verhalten von SiC MESFET- und GaN HEMT-Transistoren für hohe Leistungen an die Hand zu geben. I

Entwicklungsingenieure können die erweiterten Vorteile von SiC durch die einfache Implementierung eines 4-poligen TO-247-Gehäuses nutzen. Erfahren Sie mehr in diesem Tech Chat.

Die Vakuumröhren, die in den heutigen Millimeterwellen-Sendern verwendet werden, sind zunehmenden Bedrohung durch GaN-HEMTs ausgesetzt.

Die Elektrofahrzeugindustrie hat sich bemüht, die Ladezeiten für Elektrofahrzeuge zu verkürzen und gleichzeitig die Hardware wirtschaftlich und kompakt zu halten.