Microchip
El dispositivo MSC035SMA170S es un MOSFET de SiC de 1700 V y 35 mΩ en un encapsulado TO-268 (D3PAK).
El ATSAMR34J18 es un microcontrolador de consumo ultrabajo combinado con una interfaz de comunicación de transceptor UHF.
En esta charla técnica, analizamos la tensión umbral de un MOSFET de SiC y su importancia en la pérdida de conmutación y la inmunidad al ruido y los picos de tensión.
La placa de ampliación ATWINC1500-XPRO permite evaluar el módulo controlador de red Wi-Fi 802.11 b/g/n ATWINC1500 de bajo coste y bajo consumo.
¿Qué es una avalancha y por qué se produce? ¿Cómo afecta a la fiabilidad de un dispositivo?
El MMA042AA es un troquel de amplificador distribuido pHEMT MMIC de GaAs que funciona entre 2 GHz y 26 GHz.
Los MOSFET de SiC de nueva generación ofrecen un rendimiento dinámico y térmico superior al de los MOSFET e IGBT de Si convencionales.
El MMA053AA de Microchip es un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) de arseniuro de galio (GaAs) con amplificador de potencia distribuida pHEMT que funciona entre CC y 8 GHz.
Los diseñadores por fin pueden extraer las ventajas disruptivas a nivel de sistema de la tecnología SiC para reducir el tamaño, el ruido y los fallos de campo de las unidades de potencia auxiliares (APU) de los vehículos de transporte.
Microchip Technology, en colaboración con Clean Sky, miembro del consorcio de la Comisión Europea, ha desarrollado una familia de módulos de potencia basados en SiC para aplicaciones aeroespaciales con el fin de hacer más eficientes y compactos los sistemas de conversión de potencia y accionamiento de motores.
