Solutions compagnons SiC de Microchip

Une technologie révolutionnaire associant hautes performances et faibles pertes

Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui recherchent une meilleure efficacité du système, un facteur de forme plus petit et une température de fonctionnement plus élevée dans les produits couvrant les segments de marché de l'industrie, du transport/automobile, de la médecine, de l'aérospatiale/aviation, de la défense et de la communication. Nos MOSFET SiC et SBD SiC de nouvelle génération sont conçus avec une capacité de commutation inductive non bridée (UIS) répétitive plus élevée à la résistance ou au courant d'enclenchement nominal. Nos MOSFET SiC conservent une capacité UIS élevée à environ 10-25 joules par centimètre carré (^J/cm2) et une protection robuste contre les courts-circuits. Les diodes à barrière Schottky (SBD) en SiC de Microchip sont conçues avec un courant de choc équilibré, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique nominales à un faible courant inverse pour une perte de commutation plus faible. En outre, nos MOSFET SiC et nos diodes à barrière Schottky SiC peuvent être jumelés pour être utilisés dans des modules. Les produits SiC MOSFET et SiC SBD de Microchip seront qualifiés selon la norme AEC-Q101.