Bahnbrechende Technologie kombiniert hohe Leistung mit geringen Verlusten
Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) bieten eine innovative Option für Entwickler von Leistungselektronik, die eine verbesserte Systemeffizienz, einen kleineren Formfaktor und eine höhere Betriebstemperatur in Produkten für die Marktsegmente Industrie, Transport/Automobil, Medizin, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikation anstreben. Unsere SiC-MOSFETs und SiC-SBDs der nächsten Generation sind mit einer höheren repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) bei Nenn-Einschaltwiderstand oder -Strom ausgelegt. Unsere SiC-MOSFETs bieten eine hohe UIS-Fähigkeit von etwa 10-25 Joule pro Quadratzentimeter (J/cm2) und einen robusten Kurzschlussschutz. Die SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) von Microchip sind mit ausgewogenen Werten für Stoßstrom, Vorwärtsspannung, Wärmewiderstand und Wärmekapazität bei niedrigem Sperrstrom für geringere Schaltverluste ausgelegt. Darüber hinaus können unsere SiC-MOSFET- und SiC-SBD-Chips für den Einsatz in Modulen miteinander gepaart werden. Die SiC-MOSFET- und SiC-SBD-Produkte von Microchip werden nach dem AEC-Q101-Standard qualifiziert.
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