マイクロチップSiCコンパニオンソリューション

画期的な技術で高性能と低損失を両立

炭化ケイ素（SiC）半導体は、産業、輸送/自動車、医療、航空宇宙/航空、防衛、通信などの市場セグメントをカバーする製品において、システム効率の向上、フォームファクタの小型化、動作温度の向上を求めるパワーエレクトロニクス設計者に革新的な選択肢を提供します。当社の次世代SiC MOSFETおよびSiC SBDは、定格オン抵抗または定格電流でより高い繰り返し非クランプ誘導スイッチング（UIS）能力を持つように設計されています。当社のSiC MOSFETは、1平方センチメートルあたり約10～25ジュール（J^/cm2）の高いUIS能力と堅牢な短絡保護を維持しています。MicrochipのSiCショットキーバリアダイオード（SBD）は、低逆電流でサージ電流、順方向電圧、熱抵抗、熱キャパシタンス定格のバランスが取れた設計となっており、スイッチング損失を低減します。さらに、当社のSiC MOSFETとSiC SBDダイは、モジュールで使用するために組み合わせることができます。Microchip社のSiC MOSFETおよびSiC SBD製品はAEC-Q101規格に適合しています。