Microchip SiC 配套解决方案

兼具高性能和低损耗的突破性技术

碳化硅 (SiC) 半导体为寻求提高系统效率、缩小外形尺寸和提高工作温度的电力电子设计者提供了一种创新选择，其产品覆盖工业、运输/汽车、医疗、航空航天、国防和通信等细分市场。我们设计的下一代 SiC MOSFET 和 SiC SBD 在额定导通电阻或电流条件下具有更高的重复无钳位感应开关 (UIS) 能力。我们的 SiC MOSFET 具有约 10-25 焦耳/平方厘米 (^J/cm2) 的高 UIS 能力和强大的短路保护功能。Microchip 的 SiC 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有平衡的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值，反向电流小，开关损耗低。此外，我们的 SiC MOSFET 和 SiC SBD 芯片可以配对在一起用于模块中。Microchip 的 SiC MOSFET 和 SiC SBD 产品将符合 AEC-Q101 标准。