Una tecnología revolucionaria combina alto rendimiento y bajas pérdidas
Los semiconductores de carburo de silicio (SiC) ofrecen una opción innovadora para los diseñadores de electrónica de potencia que buscan una mayor eficiencia del sistema, un factor de forma más pequeño y una temperatura de funcionamiento más elevada en productos que abarcan los segmentos de mercado industrial, transporte/automoción, médico, aeroespacial/aviación, defensa y comunicaciones. Nuestros MOSFET de SiC y SBD de SiC de nueva generación están diseñados con una mayor capacidad de conmutación inductiva no bloqueada (UIS) repetitiva a la resistencia o corriente de conexión nominal. Nuestros MOSFET de SiC mantienen una elevada capacidad UIS a aproximadamente 10-25 julios por centímetro cuadrado (J/cm2) y una sólida protección contra cortocircuitos. Los diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC de Microchip están diseñados con valores nominales equilibrados de corriente de sobretensión, tensión directa, resistencia térmica y capacitancia térmica a baja corriente inversa para una menor pérdida de conmutación. Además, nuestros MOSFET de SiC y SBD de SiC pueden emparejarse para su uso en módulos. Los productos MOSFET de SiC y SBD de SiC de Microchip cumplen la norma AEC-Q101.
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