Come ottimizzare un amplificatore RF basato su GaN su SiC

Come ottimizzare un amplificatore RF basato su GaN su SiC

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Informazioni su come ottimizzare un amplificatore RF basato su GaN su SiC

Il webcast illustra il processo di ottimizzazione di un amplificatore RF bilanciato da 50W con transistor HEMT GaN on SiC. Verrà fornita una panoramica della rete di accoppiamento e del layout dello stadio finale e della rete di splitter/combinatore.

Discuteremo anche l'importanza delle considerazioni termiche e dell'analisi elettromagnetica nella progettazione e offriremo un confronto tra le prestazioni previste dal modello e quelle misurate. Infine, mostreremo un front-end RF completamente integrato costruito a partire da questo progetto di amplificatore bilanciato e come integrarlo con un sistema radio su modulo (SoM).

I partecipanti impareranno a conoscere:

  • I vantaggi tecnici degli amplificatori GaN su SiC
  • Lavorare con modelli non lineari e impostare la simulazione
  • Considerazioni termiche per gli amplificatori GaN
  • Generare una simulazione EM accurata

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