Wolfspeed - C3M0025065J1

650 V、25 mΩ 第三代 SiC MOSFET
SiC 现货:新型 Wolfspeed 650 V、25 mΩ 第 3 代 SiC MOSFET

SiC 现货:新型 Wolfspeed 650 V、25 mΩ 第 3 代 SiC MOSFET

C3M0025065J1:碳化硅功率 MOSFET C3M™ MOSFET 技术 N 沟道增强模式
  • 第三代 SiC MOSFET 技术
  • 优化封装,带独立的驱动源引脚
  • 高阻断电压,低导通电阻
  • 高速开关,低电容
  • 快速本征二极管,反向恢复率低 (Qrr)
  • 无卤素,符合 RoHS 标准
  • 降低开关损耗,最大限度减少栅极振铃
  • 更高的系统效率
  • 减少冷却需求
  • 提高功率密度
  • 提高系统开关频率
  • 数据中心和电信电源
  • 电动汽车电池充电器
  • 高压 DC/DC 转换器
  • 储能系统
  • 太阳能逆变器

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我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。