- Mfg Part Number:C3M0025065J1
C3M0025065J1:碳化硅功率 MOSFET C3M™ MOSFET 技术 N 沟道增强模式
- 特点
- 第三代 SiC MOSFET 技术
- 优化封装,带独立的驱动源引脚
- 高阻断电压,低导通电阻
- 高速开关,低电容
- 快速本征二极管,反向恢复率低 (Qrr)
- 无卤素,符合 RoHS 标准
- 益处
- 降低开关损耗,最大限度减少栅极振铃
- 更高的系统效率
- 减少冷却需求
- 提高功率密度
- 提高系统开关频率
- 应用
- 数据中心和电信电源
- 电动汽车电池充电器
- 高压 DC/DC 转换器
- 储能系统
- 太阳能逆变器

