MSC025SMA120B 器件是一款采用 TO-247 封装的 1200 V、25 mΩ SiC MOSFET。

在使用硅 MOSFET 和 IGBT 时，高压电源系统的设计人员一直在努力满足客户对持续创新的需求。

Microchip 提供基于 SiC 氮化镓、高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高性能分立式 CW 和脉冲射频与微波晶体管产品。

本文重点介绍三种电动汽车充电级别以及可支持住宅、商业和快速充电系统多个方面的 Microchip 解决方案。

本文重点介绍睿查森电子 提供的可实现直流电路保护的 Microchip SiC 器件。

利用 Microchip 射频功率解决方案，助您实现 5G、航空航天与国防、测试与测量或工业射频应用。

与硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案相比，Microchip 的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线提高了性能。

使用 Microchip 碳化硅，轻松、快速、放心地采用碳化硅。

这篇技术文章回顾了 Microchip 针对各类电动汽车电机控制应用的解决方案，包括牵引电机、风扇、泵、压缩机等。

MSCSM120TAM11CTPAG 器件是一款 3 相脚 1200 V/251 A 全碳化硅 (SiC) 电源模块。