Electronic devices 附近或共用Electronic devices 容易受到电磁干扰(EMI)的影响,从而导致其运行异常。为了确保电气系统在同一环境中不会干扰彼此的正常运行,必须尽量减少电磁辐射。 功率半导体器件(如硅(Si)IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET)因其工作所需的快速开关特性,是传导电磁干扰(EMI)的常见来源。在开关过渡过程中,器件两端的电压和流经器件的电流会迅速发生状态变化。关断与导通状态之间的切换会产生 dv/dt 和 di/dt,从而在开关频率的谐波频率下产生电磁干扰。
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2026年2月25日
