电源模块:符合 EMI 标准的捷径

电源模块:符合 EMI 标准的捷径

2024 年 12 月 21 日

碳化硅功率模块

相邻或共用导体的电子设备容易受到电磁干扰(EMI),从而干扰其运行。要确保电气系统在同一环境中不会相互干扰其正常运行,就必须最大限度地减少辐射。功率半导体器件,如硅(Si)IGBT 和碳化硅(SiC)MOSFET,是传导 EMI 的常见来源,因为它们的工作需要快速开关。在开关转换过程中,器件两端的电压和通过器件的电流会迅速改变状态。关断和接通状态之间的变化会产生 dv/dt 和 di/dt,从而产生开关频率谐波频率的 EMI。

相关 内容

能源与动力设计支持

让我们有机会对您的项目进行评估,帮助您更快地将愿景推向市场。

关于我们的专家团队

我们的全球应用工程师团队随时为您答疑解惑,确保您的功率转换或储能系统设计达到您的性能预期。如果您正在从硅过渡到氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC),我们将帮助您确定合适的开关器件,以实现您的应用所需的功率密度和更高的效率。