通过稳健、简单、经济高效的模块和系统布局，最大限度地发挥 SiC 的性能优势。

相控阵雷达系统的理想设备

本文回顾了不同的射频功率半导体器件类型、它们的区别特征和一些示例。

ハードウェア公開：1200V、450A SiCハーフブリッジモジュールを6個使用した600kW三相リファレンス設計

SiC 现货：采用 TO-263-7 封装的第 3 代 1200 V、75 mΩ SiC MOSFET

SiCショットキーダイオードの新製品シリーズは最高水準の効率と高パワー密度を実現します。

業界で最も低い伝導性とスイッチング損失、より小さくより軽い高効率の電力変換を可能に

Wolfspeed 扩展 62mm BM3 SiC 功率模块产品，是更高频率工业应用的理想之选。

半导体设备制造工艺有几个不同的复杂步骤。半导体制造设备中使用的电源对于工艺前端和后端的每项任务都至关重要。

本文将以交流/直流应用为例，重点介绍 SpeedFit 如何帮助比较不同的拓扑结构，并协助设计最高效的转换器。