NXP
Optimizado para funcionamiento en banda ancha hasta 2700 MHz, incluye adaptación de entrada para ampliar el ancho de banda
Diseño de referencia para pedido del transistor discreto de GaN A3G26D055N de 55 W de pico
El nuevo transistor de potencia de RF de banda ancha MMRF5018HSR5 de 125 W CW permite un funcionamiento optimizado en banda ancha hasta 2700 MHz e incluye adaptación de entrada para ampliar el ancho de banda.
En la industria de defensa, la comunicación no sólo es necesaria, sino que es vital. Los transistores RF de NXP han demostrado su robustez y fiabilidad en los entornos más duros.
El circuito A3G26D055N-100 optimiza el dispositivo de la banda 100-2500MHz, con 12W CW y 11dB de ganancia utilizando la mitad del dispositivo.
NXP alimenta el Access Edge 5G, que incluye el equipo de infraestructura crítica entre el núcleo 5G y el usuario final.
Los módulos Rx de NXP son módulos multichip integrados diseñados para aplicaciones TD-LTE y 5G mMIMO.
Los diseños frontales RapidRF son soluciones fáciles de usar que ayudan a acelerar la creación de prototipos para sistemas MIMO masivos, Open RAN, células pequeñas en exteriores y cabezales de radio remotos de baja potencia.
A medida que las redes 5G siguen construyéndose en todo el mundo, los operadores de redes móviles aprovechan cada vez más las soluciones 32T32R para mejorar la cobertura MIMO masiva en zonas urbanas y suburbanas menos densas.
Este artículo repasa los distintos tipos de dispositivos semiconductores de potencia de RF, sus características diferenciadoras y algunos ejemplos.
