Optimisé pour un fonctionnement à large bande jusqu'à 2700 MHz, comprend une adaptation d'entrée pour une performance de bande passante étendue.

Conception de référence commandable pour A3G26D055N 55 W peak GaN discrete transistor

Le nouveau transistor de puissance RF 125 W CW MMRF5018HSR5 est destiné à un fonctionnement large bande optimisé jusqu'à 2700 MHz et comprend une adaptation d'entrée pour des performances de bande passante étendues.

Dans l'industrie de la défense, la communication n'est pas seulement nécessaire, c'est une bouée de sauvetage. Les transistors RF de NXP ont fait la preuve de leur robustesse et de leur fiabilité dans les environnements les plus difficiles.

Le circuit A3G26D055N-100 optimise le dispositif sur la bande 100-2500MHz, avec 12W CW et 11dB de gain en utilisant la moitié du dispositif.

NXP alimente le 5G Access Edge qui comprend l'équipement d'infrastructure critique entre le cœur de la 5G et l'utilisateur final.

Les modules Rx de NXP sont des modules multi-puces intégrés conçus pour les applications TD-LTE et 5G mMIMO.

Les conceptions frontales RapidRF sont des solutions faciles à utiliser qui permettent d'accélérer le prototypage pour les systèmes MIMO massifs, le RAN ouvert, les petites cellules extérieures et les têtes radio distantes à faible puissance.

Alors que les réseaux 5G continuent d'être construits dans le monde entier, les opérateurs de réseaux mobiles tirent de plus en plus parti des solutions 32T32R pour améliorer la couverture MIMO massive dans les zones urbaines et suburbaines moins denses.

Ce document passe en revue les différents types de dispositifs semi-conducteurs de puissance RF, leurs caractéristiques distinctives et quelques exemples.